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ME-210-T膜厚测量仪
ME-210-T膜厚测量仪为一种光学系膜厚测量装置，这个装置的特点是可以高精度测量1nm一下的极薄膜，也适合测量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技术，将不能变为可能，以往的技术是无法测量0.5mm厚的玻璃基板，在这项技术下，可进行极薄膜的高精度测量，举例来说显示器用的ITO膜或配向膜的评估，也可运用ME-210-T轻松达成。
ME-210-T膜厚测量仪适用透明基板的高速Mapping椭偏仪，可测量透明基板上的光阻膜及配向膜分布。
椭偏仪为一种光学系膜厚测量装置，膜厚测量仪这个装置的特点是可以高精度测量1nm一下的极薄膜，也适合测量玻璃等透明基板上的薄膜。
ME-210-T膜厚测量仪用了本公司*的偏光Senor 技术，将不能变为可能，以往的技术是无法测量0.5mm厚的玻璃基板，在这项技术下，可进行极薄膜的高精度测量，举例来说显示器用的ITO膜或配向膜的评估，也可运用ME-210-T轻松达成。
ME-210-T的高精度膜厚分布资料，定会对先进的薄膜产品的生产有的用途。
特点
1，高效的测量速度（每分约1000点：）可短时间内取得高密度的面分布数据。
2，微小领域量测（20un左右）可简单锁定&测量任一微小区域。
3，可测量透明基板
适用于解析玻璃基板上的极薄膜。
测量实例
涂布膜边缘扩大测量
可阶段性扩大微小领域，然后获得详细的膜厚分布数据。
GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布测量
缩小膜厚显示范围，膜厚差距不大的样品，也可以简单评估、比较其分布状况。
设备参数
项目 | 规格 |
光源 | 半导体激光（636nm、class2） |
小测量领域 | 广域模式：0.5mm×0.5mm |
高精细模式：5.5um×5.5um | |
入射角 | 70『deg』 |
测量再现性 | 膜厚：0.1nm 折射率：0.001 ※1 |
大测量速度 | 1000point/min（广域模式） |
5000point/min（高精密模式） | |
载物台 | 行程：XY200mm以上 大移动速度：约40mm/scc |
尺寸/重量 | 约650×650×1740mm（W×D×H）/约200kg |
电源 | AC100V |
备注 | ※1：此数值是以广域模式测量SiO2膜（膜厚约100mm）其中一点，重复测量100次后的标准偏差值 |